超级工程一览：DRAM芯片战争
——1970-2017输赢千亿美元的生死搏杀【6】

DRAM芯片战争——1970-2017输赢千亿美元的生死搏杀【6】
1970年4月24日，中国第一颗人造地球卫星“东方红一号”从酒泉卫星发射中心成功发射。照片为酒泉卫星发射中心，地下13米深处的发射场控制室，墙上还写着当年留下的主席标语——一定要在不远的将来赶上和超过世界先进水平。

1949年新中国成立的时候，美国已经在世界第一工业大国的宝座上，稳坐了50年。而中国，是个连汽油铁皮桶都无法生产的落后农业国。全国五亿多人口中，80%以上是文盲，农村文盲率超过95%。就是在这样的巨大差距下，中国亿万人民由毛主席领导，开始了艰苦卓绝的工业追赶进程，创造了世界历史上的经济奇迹。然而结果很不幸，由于1978年改革开放后的错误政策，导致中国电子工业全面垮掉，并在地上跪了三十年，至今也没能爬起来。

中国电子工业起步——亚洲最完善的电子工业体系

中国电子工业发展，起步于毛泽东时代。1950年抗美援朝战争爆发后，为解决军队电子通信问题，国家成立电信工业管理局，在北京酒仙桥筹建北京电子管厂（即现在的北京京东方），由民主德国（东德）提供技术援助。该厂总投资1亿元，年产1220万只，是亚洲最大的电子管厂。除此之外，酒仙桥还建起了规模庞大的北京电机总厂、华北无线电器材联合厂（下辖706、707、718、751、797、798厂）、北京有线电厂（738厂）、华北光电技术研究所等单位。

1956年国家提出“向科学进军”，国务院制定科技发展12年规划，将电子工业列为重点发展目标。中国科学院成立了计算技术研究所（中科院计算所），这是中国第一个电子计算机研究所。为了培养电子工业人才，教育部集中全国五所大学的科研资源，在北京大学设立半导体专业。由黄昆博士、谢希德博士、高鼎三等留学回国的著名教授讲课。1957年毕业的第一批学生中，出现了大批人才。如中芯国际董事长王阳元、华晶集团总工程师许居衍、电子工业部总工程师俞忠钰。

1958年，上海组建华东计算技术研究所，及上海元件五厂、上海电子管厂、上海无线电十四厂等企业。使上海和北京，成为中国电子工业的南北两大基地。1960年中国科学院成立半导体研究所，集中了王守武博士、黄昆博士、林兰英博士等著名海外归国专家。同年组建河北半导体研究所（现为中电集团第13所），进行工业技术攻关。1962年由中科院半导体所，组建全国半导体测试中心。1963年中央政府组建第四机械工业部，主管全国电子工业（1982年改组为电子工业部），由通信专家王诤中将任部长。

中国早期电子工业，主要以军事项目为牵引，研制军用航空电子设备、弹道导弹控制设备、核武器配套电子设备、军用雷达、军用通讯器材、军用电子计算机等产品。1958年开始研制东方红卫星后，又将防辐射级太空电路列入研究项目。这一时期，中国民用电子产品，仅限于无线电收音机。收音机当时是极为昂贵的奢侈消费品。

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1973年8月26日，中国第一台每秒运算100万次的集成电路电子计算机-105机，由北京大学、北京有线电厂、燃料化学工业部，等单位协助研制成功。

文革时期——独立自主 自力更生

1966年文革爆发后，由于左倾政策的保护，中国电子工业得到快速发展，北京酒仙桥电子工业区基本成型。电子工业开始与纺织、印染、钢铁等行业结合，实现自动化生产。1968年，北京组建国营东光电工厂（878厂），上海组建无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国集成电路产业中的“南北两霸”。其中北京878厂主要生产TTU电路、CMOS钟表电路及A/D转换电路。上海无线电19厂，主要生产TTL、HTL数字集成电路，是中国最早生产双极型数字集成电路的专业工厂。1977年四机部投资300万元，建设6000平方米集成电路洁净车间。到1990年该厂累计生产509种集成电路，产量4120万块，产值3.25亿元（该厂后来合资为上海飞利浦半导体）。

1968年，国防科委在四川永川县，成立固体电路研究所（即永川半导体研究所，解放军1424研究所，现中电集团24所）。这是中国唯一的模拟集成电路研究所。同年上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路。拉开了中国发展MOS集成电路的序幕。1970年代永川半导体研究所、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后又研制成CMOS电路。至1990年底，上无十四厂累计产量为3340万块（后来合资成为上海贝岭半导体）。

1972年美国总统尼克松访华后，中国从欧美大量引进技术。由于集成电路产品利润丰厚，全国有四十多家集成电路厂建成投产。包括四机部下属的749厂（甘肃天水永红器材厂）、871厂（甘肃天水天光集成电路厂）、878厂（北京东光电工厂）、4433厂（贵州都匀风光电工厂）和4435厂（湖南长沙韶光电工厂）等。各省市另外投资建设了大批电子企业。

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1975年，北京大学物理系半导体研究小组，由王阳元等人，设计出我国第一批三种类型的（硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS）1K DRAM动态随机存储器，它比美国英特尔公司研制的C1103要晚五年，但是比韩国、台湾要早四五年。那时韩国、台湾根本就没有电子工业科研基础。照片为北京大学校史陈列馆展示的器件。

引进国外先进技术——3英寸晶圆厂拖了七年

1973年，借着中美关系缓和及欧美石油危机的机会，中国希望从欧美国家，引进七条3英寸晶圆生产线，是当时世界最先进技术。这要比台湾早2年，比韩国早4年，那时候台湾与韩国还没有电子工业科研基础。1975年美国英特尔才开始建设世界第一座4英寸（100mm）晶圆厂。但是由于欧美技术封锁，最终拖了七年，中国才得以引进三条已经落后的3英寸晶圆生产线，分别投资在北京国营东光电工厂（878厂），航天部陕西骊山771研究所（西安微电子研究所），和贵州都匀风光电工厂（4433厂）。其中北京878厂的3寸晶圆生产线，直至1980年才建成，已经比台湾晚了3年，比韩国晚2年。

与之形成鲜明对比的是，台湾工研院1975年向美国购买3英寸晶圆生产线，1977年就建成投产了。1978年，韩国电子技术研究所（KIET），从美国购买3英寸晶圆生产线，次年投产。1980年台湾联华电子建设4英寸晶圆厂。而中国大陆，直至1988年，才由上海无线电十四厂，与美国贝尔电话合资，成立贝岭微电子，建设中国大陆第一条4英寸晶圆生产线。这比台湾晚了八年，比美国晚十三年。在欧美联手封锁压制下，中国大陆只能买到二手淘汰设备。

1975年，就在台湾刚刚向美国购买3英寸晶圆厂时，中国大陆已经完成了DRAM核心技术的研发工作。北京大学物理系半导体教研室（成立于1956年，现北大微电子研究院），由王阳元领导的课题组，完成硅栅P沟道、铝栅N沟道和硅栅N沟道三种技术方案。在中科院北京109厂（现为中科院微电子研究所），采用硅栅N沟道技术，生产出中国第一块1K DRAM。这一成果尽管比美国、日本晚了四五年，但是比韩国、台湾要早四五年。直至1980年前后，韩国、台湾才在美国技术转移下，获得了DRAM技术突破，瞬间反超中国大陆。韩国直接从16K起步，台湾从64K起步。

1978年10月，中国科学院成立半导体研究所，由王守武领导，研制4K DRAM，次年在中科院109厂投入批量生产（比美国晚六年）。1981年中科院半导体所又研制成功16K DRAM（比韩国晚两年）。1982年，江苏无锡江南无线电器材厂（742厂），耗资6600万美元，从日本东芝引进3英寸晶圆生产线（5微米制程，月产能1万片），生产电视机集成电路。1985年，该厂制造出中国第一块64K DRAM（比韩国晚一年）。1993年，已经改组的无锡华晶电子公司（原无锡742厂），制造出中国第一块256K DRAM（比韩国晚七年）。

从上述历史，我们可以明显看出，在欧美技术封锁，以及1980年后，中国大陆减少电子产业投资的情况下，中国DRAM产业从领先韩国、台湾，然后迅速被韩国、台湾反超。尤其是韩国在美国刻意扶植下，依靠20亿美元左右的巨额疯狂投资，在DRAM产业取得了显著成果。


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1977年8月1日，北京，凳和华在纪念南X昌X起义50周年大会上。

洋跃进——800亿美元疯狂计划

而中国大陆的这一局面，主要由于政治原因。1976年毛主席逝世后，左右各派为争夺权力，展开了激烈较量，经济领域是主要战场之一。1977年中国的外汇储备还有9亿多美元，7月份国家计委提出，今后八年花费65亿美元从国外进口技术设备，重点发展石油化学工业，其中只有一个陕西咸阳显像管厂是电子项目。政治局讨论时，（凳）提出可以花100亿美元进口设备，提高中国石油、煤炭和轻工业产量，以赚取更多外汇。8月，国家计委将进口项目提高到150亿美元规模，再次得到（凳）等人的肯定。

1978年2月9日，政治局讨论《政府工作报告》，在叶的鼓动下，华将进口规模提高到180亿美元。3月份再次讨论时，华又将进口额度提高到200亿美元。要知道1978年中国的外汇储备仅有1.67亿美元，可见当时（凳）、华等人的决策是如何荒唐。到6月份，政治局再次听取报告，（凳）说得更干脆：同国外做生意，搞买卖，搞大一点，什么150亿，搞它500亿。500亿美元的规模，是3月份拟定的200亿美元的二点五倍。

受（凳）的影响，6月30日听取谷牧出访汇报时，华再次强调步子要大一些。国家计委讨论后，提出了花费1000亿美元引进技术的设想。7月上旬，国家计委初步整理，汇总了一个850亿美元的方案，其中400亿引进外资。（凳）也同意这个方案。9月9日，李现鲶在国务院务虚会结束时宣布：今后十年的引进规模可以考虑增加到800亿美元。李还称，这是一个伟大的战略决策。

从65亿美元到后来的800亿美元，这帮人完全违背经济发展规律，如同儿戏一般，将气球越吹越大。其实，1958年大跃进时期，搞浮夸风、亩产万斤的，也是（凳）、李、叶这帮老狐狸。当时他们把主席架在火上烤，以赶他下台。1959年毛下台，换了刘上台。1978年大搞洋跃进，同样是为了将华赶下台。洋跃进号称要建设“十个鞍钢、十个大庆”，其中就包括（凳）力主拿出50亿美元，从日本新日铁进口设备，建设上海宝钢。而上海长江边的烂泥地，根本不适合建设大型钢厂。

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1980年9月，北京，人大五届三次会议上，赵种里与（凳）、李一批人坐在主席台上。

狂印钞票——中国经济全面恶化

1978年中国的财政收入为1132亿元，光是一个上海宝钢项目就要投资300亿元，根本不是中国国力所能负担的。没钱怎么办？开动印钞机！1979年中国人民银行增加了50亿元人民币的供应量。同时期，为了体现改革开放的好处，中央开始给工人涨工资、提高粮食收购价、给文革时期打倒的牛鬼蛇神们平反，补发工资。给老革命家们盖别墅、换进口小轿车，提高福利待遇。1980年，在（凳）、叶等人的联手打击下，华终于被赶下了台。换了胡担任种书计，赵担任总里。但是经济形势已经开始恶化。

1979年全国在建的大中型项目有1100多个，财政赤字170.6亿元。1980年又新增了1100多项，财政赤字127亿元。上述项目全部建成，还需要投资1300亿元。为了弥补财政亏空，1980年央行又增印了78.5亿元钞票。从此，印钞票如同吸毒上瘾一般，成为中国经济毒瘤。1978年中国全社会的流通现金仅有229.59亿元，到1985年已经暴增至839亿元。光是1984年的钞票供应增幅，就高达惊人的39%。连年狂印钞票引发恶性通货膨胀。许多物价都至少翻番，高档烟酒等民用消费品价格，甚至直接上涨10倍，以致一些城市出现了“抢购囤积风潮”。

为了控制宏观经济的严重混乱局面，压缩投资金额。1980年中央一下子停建缓建了400多个大中型项目，1981年又停缓建了22个大型项目。其中就包括上海宝钢、十堰二汽、大庆30万吨乙烯等战略工程。盲目贪大求洋给中国经济带来严重危害，导致汽车、电子、航空等战略产业难以发展。像上海的运10飞机，在研制15年后最终流产。北京电子管厂（现在的京东方），想上马液晶项目，也因为缺乏国家投资而流产。更严重的危机还在后面。

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上海市威海路696号，原是上海元件五厂厂房和仓库的一部分。工厂倒闭后厂房被30多位艺术家占据，成为艺术仓库。到1990年代，上海市曾经闻名全国的电子企业，几乎全部破产倒闭，或变成合资企业。

拨改贷——抽干中国电子企业血液

1984年，国务圆总里赵，为扭转财政亏空局面，听信一些经济专家的建议，盲目实行“拨改贷”政策。以往国有企业从政府财政获得拨款，作为工厂流动资金或技术改造经费。企业盈利后将利润上缴国家财政。这样形成良性循环。拨改贷将政府财政拨款，改为企业向银行贷款，还要支付高额利息。而另一头，企业的利润照样要上交财政。这样政府不仅不投一分钱，反而像从前一样，抽走企业的大部分收入，导致国有企业迅速陷入亏损困境。

正是由于“拨改贷”，使得中国电子工业遭到致命打击。企业只顾引进外国设备，以尽快投产盈利，缺少科研资金对外国技术进行消化吸收。这是企业急功近利的根源。在文革时期，中国科研投入占GDP的2.32%，与英法德等发达国家相当（2003年世界平均值也仅有2.2%）。到1980年代，正是电子产业兴起的关键时期，欧美国家和日本、韩国、台湾纷纷加大对电子产业的科研投入。而中国却在大规模压缩科研经费投入。1984年以后，由于“拨改贷”造成的困境，使中国企业基本无力进行研发，科研经费占GDP比值骤然降到0.6%以下。中国电子工业彻底垮了。

比如像中国最大的半导体企业——上海元件五厂。1980年利润高达2070万元，职工人均利润1.5万元。即使是1985年，上海元件五厂的产值仍然高达6713.1万元，利润达1261.4万元。然而到了1990年，上海元件五厂产值下降至1496万元，利润竟然仅有2.47万元，全厂1439人，人均利润仅有区区17.16元。熬了没几年，这家风光了三十年的中国半导体器件龙头企业，就在改革开放的“春风”里破产倒闭了。

其实不单是电子工业。在1980年代，获利丰厚的纺织工业、钟表工业、钢铁工业，全部成为中央财政的吸血来源。国家停止工厂设备升级投资，导致中国纺织工业到1990年代全面破产，全国下岗失业工人超过200万人，引发了严重的社会危机。


中央停止投资——全国疯狂引进落后淘汰技术

1982年，国务圆组建电子工业部，由张挺任部长，主管全国电子工业。该部门继承了毛时代组建的2500多家科研院所和电子工厂，下属职工总数达100多万人，主要研制通信、雷达、电视、计算机、无线电、元器件等设备。产业结构完备程度，仅有美国、苏联可以相比。光是电子工业部下辖的专业电子研究所就有上百家。然而在80年代初，由于中央政府全面停止对电子工业投资，各电子企业要自己去市场找资源。于是中国电子工业的技术升级全面停止，与美国、日本的技术差距迅速拉大。甚至被80年代加大电子投资的韩国、台湾彻底甩开。

1982年，中国国务圆成立了“电子计算机和大型集成电路领导小组办公室（简称大办）”，由副中里万里出任主任，管理包括半导体在内的电子工业。1984年该机构又更名为“国务圆电子振兴领导小组”，由副中里李月月任组长。至1988年该机构取消，两任国家当家人出面，最后结果怎么样？

1984年至1990年，中国各地方政府、国有企业和大学，纷纷从国外引进淘汰的落后晶圆生产线，前后总计达到33条，按照每座300-600万美元估算，总计花费1.5亿美元左右。这33条晶圆生产线，多数根本没有商业价值。造成这一乱象的根本原因，是电子工业部，将绝大多数国有电子企业的管理权，甩给给省市地方政府，又缺乏制定执行产业规划的政策权力。出现了全国疯狂引进落后技术的奇怪现象。还有一个原因是80年代开始，国有企业贪污腐败加剧，借着进口项目的名义，领导干部可以名正言顺地获得出国考察机会。

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江苏省无锡市，华晶电子，中国最早启动的6英寸晶圆厂，花了八年时间才建成。建成就已经落后淘汰。

九0八工程——盖一座6寸晶圆工厂用时八年

为了治理散乱差问题，1986年电子工业部在厦门，举办集成电路战略研讨会，提出“531战略”。即“普及5微米技术、研发3微米技术，攻关1微米技术”，并落实南北两个微电子基地。南方集中在江浙沪，北方集中在北京。1988年至1995年，在政策扶持下，中国诞生了五家具有规模的国有半导体企业：江苏无锡华晶电子（原无锡742厂与永川半导体研究所合并）、浙江绍兴华越微电子（1988年设立中国第一座4英寸晶圆厂）、上海贝岭微电子、上海飞利浦半导体（1991年设中国第一座5英寸晶圆厂）、和北京首钢NEC（1995年设中国第一座6英寸晶圆厂）。

1990年8月，国务院决定在八五计划（1990-1995），半导体技术达到1微米制程，决定启动“九0八工程”，总投资20亿元。其中15亿元用在无锡华晶电子，建设月产能1.2万片的6英寸晶圆厂，由建设银行贷款。还有5亿元投给9家集成电路企业设立设计中心。（1993年华晶开发出256K DRAM，比韩国晚7年）

但实际结果是，由于官僚体系拖延，九0八工程光是经费审批就花了两年时间。然后从美国AT&T（朗讯）引进0.9微米制程，又花了三年时间。前后拖延五年时间，建厂再花三年，导致1998年无锡华晶电子投产即落后（月产能仅6000片），华晶还要为此承担沉重的利息支出压力。为了解决华晶的困境，电子工业部借研讨会的机会，请台湾茂矽电子老板陈正宇，接手管理华晶的六寸晶圆厂。1998年2月，由台湾人陈正宇、张汝京和李乃义在香港注册上华公司，来租赁无锡华晶的6寸厂，进行晶圆代工业务。1999年8月，双方合资成立无锡华晶上华半导体公司，上华控股51%。新公司迅速扭亏为盈，成为中国大陆第一家“纯晶圆代工”企业，月产量达到1万片。2001年月产能达到2万月。2003年上华筹备建设一座8英寸晶圆厂，为了节省投资希望购买二手设备。不过国际上二手8寸晶圆厂很少。直至2007年8月，无锡海力士的8英寸晶圆厂，因DRAM价格暴跌而停产。上华迅速出手，以3.8亿美元买下了该厂设备，2009年投产。

与无锡华晶形成鲜明对比的是，1990年新加坡政府投资特许半导体，只用2年建成，第三年投产，到1998年收回全部投资。而无锡华晶却被甩给了台湾人经营。

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1990年，中国进口一台美国IBM 286电脑（IBMPS1），价格是3.5万元人民币。当时中国普通工人的月工资只有300元左右。由于电子产品的暴利，引发广东、浙江等沿海省份，大规模走私进口电子器件，彻底冲垮中国电子工业。

中国电子产业落后——三十年来以市场换技术

在1996年，国际主流生产线是8英寸晶圆厂，而中国最先进的是首钢NEC的6英寸晶圆厂，比国外落后八年。造成这一现象，有多方面原因。一是投资薄弱，1980-1996年间，中国在半导体产业，累计投资仅有3亿多美元，其中多数胡乱花掉，没有形成技术能力。国有企业缺乏投资，根本不可能追赶国外先进技术。作为对比，日本光是1996年对半导体的投资就接近40亿美元。

二是电子工业部作为行业主管部门，却没有制定执行产业政策的权力，要通过国家计委来审批项目。九0八工程就是如此。而官僚体系在决策时，盲目追求技术先进，根本不考虑市场因素。以华晶电子为例，决策者拒绝在华晶内部设立IC产品设计研究所，这就一下子丢掉了大批缺乏设计能力的客户。后来电子工业部部长胡启立，在接受采访时认为：那是因为决策者不了解半导体市场运作规律。

三是政治因素，自1949年新中国成立起，中国就被西方国家主导的“巴黎统筹委员会（简称巴统）”，进行严格的技术封锁。1994年巴统由于苏联解体而宣告解散，但是西方对于中国的技术封锁并未停止。1995年9月，包括原巴统17个成员国在内的28个国家，在荷兰瓦森纳召开会议，决定以控制武器技术扩散的名义，建立技术出口控制机制。1996年7月，西方33个国家正式签订《瓦森纳协定》，民用技术控制清单包括：电子器件、计算机、传感器等九大类。军用技术控制清单包括22大类。中国同样处于被禁运国家之列。

在电子领域，韩国、台湾可以轻轻松松从欧美进口先进电子设备，而中国大陆只能购买落后5年以上的淘汰技术。而韩国、台湾依靠电子产业优势，同样对中国大陆进行技术封锁。如台湾官方禁止台积电等企业，到中国大陆投资建设先进制程晶圆厂，禁止台湾液晶面板企业到大陆设厂。即使设厂也只能投资落后台湾一代的生产线。台湾厂商通过合同约束，严厉禁止台湾技术人员，跳槽到中国大陆相关企业工作。

在各方面严防死守下，中国企业要想获得先进技术，就变得非常困难。而外国企业则凭借掌握的先进技术，在中国市场予取予求，占尽便宜。所谓的“以市场换技术”，成为改开三十年来，中国最大的笑话——中国为此付出了，至少损失1万亿美元的巨额产业代价。

1990年，中国大幅降低关税、取消计算机产品进出口批文、开放了国内电脑市场。顷刻间，国外的286、386电脑如潮水般涌入，长城、浪潮、联想等国内公司溃不成军。1991年由美国英特尔和AMD，掀起的“黑色降价风暴”，更是让中国计算机产业雪上加霜。由于绝大多数整机企业，积压了高价买进的芯片，从而背上巨额亏损的包袱，一家家电脑整机厂商，前赴后继般悲壮地倒在了血雨腥风之中。长城、浪潮和联想也都元气大伤。在微电子集成电路方面，国内企业继80年代中后期陆续亏损后，90年代纷纷倒闭，国内集成电路工业，逐步变为三资企业为主的局面。据专家估计， 到1990年代末，中国微电子科技水平，与国外的差距至少是10年。


八英寸晶圆厂——摩托罗拉在天津拖了六年

1995年12月，为落实“九五计划”中，半导体生产工艺达到0.5微米的目标，国务院与上海市政府批准了“九0九工程”。包括建设晶圆厂和建立设计公司两大任务。其中上海市政府出资40亿元（5亿美元），成立华虹微电子。日本NEC出资2亿美元，双方成立华虹NEC，合计投资12亿美元，在浦东建设8英寸晶圆厂。由NEC提供0.35微米技术，生产当时主流的64M DRAM内存芯片。由于决策执行迅速，华虹NEC在1999年9月投产，次年实现盈利。2000年起，中国政府更换第二代IC式身份证和社保卡，华虹NEC成为主要制造商，拿到大量订单。

1996年，美国摩托罗拉提出，准备在天津投资122亿元人民币，建设一座当时中国最先进的8英寸晶圆厂（MOS-17）。凭借这个条件，摩托罗拉成为2001年前，唯一获得中国政府特许，独资设立手机厂的企业，而且是唯一拿到GSM和CDMA，两张手机生产许可证，及内销许可证的外国企业。摩托罗拉因此在中国大赚特赚，占领了超过半数手机市场，光是1999年销售额就达到260亿元。但是直到2000年，天津的8寸厂才开始动工，2002年才正式量产（2004年被中芯国际收购）。此时国际上已经纷纷开始建设12英寸晶圆厂。

1998年，电子工业部和邮电部合并，组建信息产业部，邀请海外华人专家，参与讨论制定产业指导政策。台湾世大半导体老板张汝京赴大陆考察。电子工业部曾考虑聘请张汝京出任总经理，结果未如愿。到1999年底，世大半导体被台积电并购后，张汝京便决定投资大陆。2000年6月，在上海市政府支持下，张汝京创办中芯国际，一期投资14.76亿美元，其中上海国有银行提供了12亿美元贷款。2001年9月，中芯国际在上海张江，建成第一座8英寸晶圆厂，采用0.25微米工艺（设计月产能5万片）。


十二寸晶圆厂——中芯国际专做接盘侠

2000年，北京市政府，计划由首钢集团出面，与美国AOS（万代半导体），合资组建华夏半导体，投入13.35亿美元，建设8英寸晶圆厂。其中北京市愿意提供6.2亿美元贷款。然而随着2001年全球半导体市场跌入低谷，该项目流产。此后，中芯国际提出在北京建设中国第一座12英寸晶圆厂（Fab4），获得北京市政府大力支持，2004年建成（计划月产能4.5万片），采用100纳米工艺，为英飞凌、尔必达代工生产DRAM。该厂总投资12.5亿美元，北京市最初承诺提供6亿美元贷款，不过直到2005年6月，才将贷款拨给中芯国际，导致Fab4直至2006年才大规模量产。

2003年，江苏无锡市政府，获悉韩国海力士在中国各地挑选投资地点，便成立了812项目，全力争取海力士投资。无锡开出了比上海和苏州，更大的资金优惠条件。最终韩国海力士与意法半导体（ST）合资，在无锡投资20亿美元，建设一座8寸晶圆厂，和一座12寸晶圆厂。其中无锡市政府总计为该项目，提供了10亿美元贷款。在土地方面，由无锡市政府出资3亿美元，建设两座占地54万平方米，和面积32万平方米的晶圆厂房，租赁给韩国海力士及意法半导体使用。

2006年，湖北省与武汉市政府投资100亿元，组建武汉新芯，建设12英寸晶圆厂。该项目是湖北省历史上，单项投资金额最大的项目，设计月产能6-7万片。由于湖北省缺乏相关人才和技术，从项目之初，武汉新芯和中芯国际就签订了托管协议，由中芯国际提供技术支援。2008年武汉新芯投产后，由于产能开工不足，长年处于亏损状态。2010年，美国镁光和台湾台积电，都对武汉新芯虎视眈眈，希望并购。由于中央政府担心国际寡头，危及中国半导体产业安全，因此支持中芯国际入主武汉新芯。2010年10月，双方签订合作协议。但是到2013年，两企业开始分道扬镳。

2014年2月，武汉新芯和美国飞索(Spansion)，签定技术合作协议，由飞索提供技术，在武汉新芯共同研发新型的3D NAND Flash。美国飞索是1993年日本富士通和美国AMD，共同出资设立的NOR Flash研制公司。2009年飞索因业绩连续滑坡倒产，被赛普拉斯(Cypress)收购成为其全资子公司。虽然，飞索从来就没有生产过NAND芯片，但是，包括三星在内，现在所有的3D NAND Flash技术，其基本原理是飞索最早开发的MirrorBit技术。不过在量产技术方面，飞索远远落后于韩国三星。

DRAM芯片战争——1970-2017输赢千亿美元的生死搏杀【6】
陕西西安，韩国三星电子西安厂区，由西安市政府免费提供土地，并花费数十亿元建设厂房，再租赁给韩国三星。西安市在十年内，收不到一分钱税费。

韩国三星落户西安——西安市政府提供300亿元巨额补贴

2011年，韩国三星与日本东芝在NAND闪存领域展开争夺。当时三星在韩国华城（Fab12、Fab16）、器兴（Fab14）以及美国得州奥斯汀，共有4座NAND闪存12英寸晶圆厂，年产能450万片晶圆。为了拉开与东芝的差距，三星决定在中国选址建立NAND闪存晶圆厂，以抢占中国市场。为此，三星对北京、重庆、无锡、苏州、西安等城市进行考察。中国各地政府纷纷开出巨额优惠条件。

2011年，韩国三星电子的半导体销售额达到285.63亿美元，仅在中国市场销售额就高达95亿美元。要知道中国全国的集成电路销售额也仅有1572亿元（241亿美元）。因此，三星在谈判中具有强势地位，提出了众多苛刻条件。最初作为热门选手的北京、重庆两个直辖市，最终都主动放弃了这个项目。最后是不被人看好的西安，在付出巨大代价后，拿下了这个项目。

2011年底，陕西省×省*长*赵正*永亲赴韩国，与三星洽谈。2011年，西安市GDP为3864亿元，仅排在全国第30名，还不如南通、大庆、泉州等三线城市。因此西安市急于拿下这个项目。2012年1月，韩国政府审批通过三星在华设厂项目。2012年4月2日，韩国三星电子宣布在中国西安，建设闪存芯片厂。项目一期投资将达70亿美元，若三期投资顺利完成，总投资约为300亿美元。

西安市为此项目提供了巨额补贴，包括：一、韩国三星需要的130万平方米厂房，由西安市建设，并免费提供1500亩土地。二、西安市每年向三星补贴水、电、绿化、物流费用5亿元。三、西安市财政对投资额进行30%的补贴。四、西安市对所得税征收，进行前十年全免，后十年半额征收。同时，西安市还承诺，将为项目修建高速公路和地铁等交通基础设施。总的补贴金额保守估计在300亿元以上。

面对这种狮子大开口的苛刻索价，西安市竟然全盘接受。三星西安项目，选址在西安市安区五星和兴隆街道，占地9.4平方公里，15个村庄3000多户农民被迫拆迁改造，引发群众抗议。为了调解征地拆迁矛盾，西安市干脆派了一批干部吃住在农村，专门解决拆迁问题。

西安市这种只要面子不要里子的招商方式，实际是用中国土地、中国资金、中国工人，来补贴服务外国企业，帮助它们占领中国市场，压制中国本土企业发展。这在其他国家是极其滑稽的行为。也无怪乎北京、重庆不要这种项目。

改开三十年来，看看中国尽数破产倒闭的本土电子企业，再看看各省政府，花费巨额资金，补贴扶植的无锡海力士、西安三星、大连英特尔、南京台积电，不禁令人感叹。

你们发展电子产业，到底是为了谁？世界上有哪个国家的电子工业，是靠引进外资壮大的？


DRAM芯片战争——1970-2017输赢千亿美元的生死搏杀【6】
1971年，上海复旦大学自主研制的719计算机，由王世业、顾芝祥、陈志刚等人参与研制。1975年复旦大学研制FD-753计算机。经过反复研究讨论，结合那时美国IBM360/370、欧洲TSS、日本FACOM等计算机系统和我国DJS-260、北大150等计算机系统，最终确定753计算机系统的主要研制目标是：具有处理速度浮点运算200万次以上的主机系统；实现分时计算机系统；多进程分层管理的微内核操作系统。
DRAM芯片战争——1970-2017输赢千亿美元的生死搏杀【6】
1979年上海元件五厂和上海无线电十四厂，联合仿制（逆向工程）成功8080八位微处理器（编号5G8080）。8080为美国英特尔公司在1974年推出的第二款CPU处理器，集成6000只晶体管，每秒运算29万次。自1975年第一台个人电脑诞生以后，8080芯片帮助英特尔在几年后占据了电脑芯片的霸主地位。德国西门子仿制出8080芯片是在1980年10月（Siemens SAB 8080A-C），比中国还晚一年。日本也仿制过8080芯片。


下列研究所清单，回答了：为什么中国以落后的民用电子产业，却能够研制歼-20战斗机、月球探测器、相控阵雷达、航空母舰等尖端军工产品。他们全部是新中国前三十年，亿万人艰苦奋斗留下的遗产。

中国电子科技集团公司第二研究所 （成立于1962年） 太原电子专用设备研究所
中国电子科技集团公司第三研究所 （成立于1960年） 北京电视声电研究所
中国电子科技集团公司第七研究所 （成立于1959年） 广州通信研究所
中国电子科技集团公司第八研究所 （成立于1970年） 淮南光纤研究所
中国电子科技集团公司第九研究所 （成立于1967年） 西南应用磁学研究所
中国电子科技集团公司第十研究所 （成立于1955年） 中国第一个综合性电子技术研究所
中国电子科技集团公司第十二研究所（成立于1957年）北京真空电子研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所（成立于1956年）石家庄半导体研究所
中国电子科技集团公司第十四研究所（成立于1949年）南京电子研究所（亚洲最大的雷达研究所）
中国电子科技集团公司第十五研究所（成立于1958年）华北计算技术研究所
中国电子科技集团公司第十六研究所（成立于1966年）合肥低温电子研究所
中国电子科技集团公司第十八研究所（成立于1958年）天津电源研究所
中国电子科技集团公司第二十研究所（成立于1961年）导航测控
中国电子科技集团公司第二十一研究所（成立于1963年）上海微电机研究所
中国电子科技集团公司第二十二研究所（成立于1963年）中国电波传播研究所
中国电子科技集团公司第二十三研究所（成立于1963年）上海传输线研究所
中国电子科技集团公司第二十四研究所（成立于1968年）四川固体电路研究所
中国电子科技集团公司第二十六研究所（成立于1970年）重庆声光技术研究所
中国电子科技集团公司第二十八研究所（成立于1964年）南京电子工程研究所
中国电子科技集团公司第二十九研究所（成立于1965年）西南电子设备研究所
中国电子科技集团公司第三十研究所 （成立于1965年）保密通信和信息安全研究所
中国电子科技集团公司第三十二研究所（成立于1958年）上海计算机技术研究所
中国电子科技集团公司第三十三研究所（成立于1958年）华北电磁防护技术研究所
中国电子科技集团公司第三十四研究所（成立于1971年）桂林激光通信研究所
中国电子科技集团公司第三十六研究所（成立于1978年）嘉兴特种通信技术研究所
中国电子科技集团公司第三十八研究所（成立于1965年）华东电子工程研究所
中国电子科技集团公司第三十九研究所（成立于1968年）精密天线系统专业化研究所
中国电子科技集团公司第四十研究所 （成立于1984年）接插件、继电器专业研究所
中国电子科技集团公司第四十一研究所（成立于1968年）华东电子测量仪器研究所
中国电子科技集团公司第四十三研究所（成立于1968年）华东微电子研究所
中国电子科技集团公司第四十四研究所（成立于1969年）重庆光电技术研究所
中国电子科技集团公司第四十五研究所（成立于1958年）半导体专用设备研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所（成立于1958年）天津激光技术研究所
中国电子科技集团公司第四十七研究所（成立于1958年）东北微电子研究所
中国电子科技集团公司第四十八研究所（成立于1964年）长沙光电设备研究所
中国电子科技集团公司第四十九研究所（成立于1976年）哈尔滨传感器研究所
中国电子科技集团公司第五十研究所 （成立于1977年）上海电子通讯研究所
中国电子科技集团公司第五十一研究所（成立于1978年）上海微波设备研究所
中国电子科技集团公司第五十二研究所（成立于1962年）计算机外部设备研究所
中国电子科技集团公司第五十四研究所（成立于1952年）中国第一个电信技术研究所
中国电子科技集团公司第五十五研究所（成立于1958年）南京电子器件研究所
中国电子科技集团公司第五十八研究所（成立于1985年）无锡微电子科研中心



作者：超级工程一览?